近年の半導体産業の進展により、青色から近紫外へとLight Emitting Diode(LED)およびLaser Diode(LD)の波長が短波長化するなか、これらを励起光源とする新しい照明および表示デバイスの開発が進められるようになってきた。我々はゾルゲル法で作製されるSnO2-SiO2:Eu3+ガラスが近紫外光励起で高効率に赤色発光することを見出し、それがガラス中に分散したSnO2半導体ナノ結晶からEu3+イオンへのエネルギー移動により達成されていることを明らかにした（Sci.Tech.Adv.Mater., 2005年）。また、Cd, Hg, Sなどを全く含まないAl2O3-SiO2白色蛍光ガラスの開発にも成功しており（Appl.Phys.Lett., 2003年）、近紫外LEDと組み合わせた照明器具の試作にも着手している。このように、今後懸念される有害金属による環境汚染やエネルギー問題を、材料工学の観点から貢献しうる新しい分野の研究を行っている。
